Etude des propriétés dynamiques du réseau et leurs dépendances en pression des semi-conducteurs binaires IV, III-V, II-VI. - BENTHAMEUR, MOURDJANA (Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila, 2016)
Basé sur l’approche de Davydov et Tikhonof couplée au modèle de Harrison, les propriétés structurales et vibrationnelles ont été étudié à pression nulle et sous pression pour les semi-conducteurs Si, InSb, InAs, GaAs, CdTe and ZnSe. Nos résultats ont montré que toutes les propriétés d’intérêts varient d’une façon presque linéaire avec la pression hydrostatique.
Keywords: Semi-conducteurs binaires, pression, propriétés structurales, propriétés vibrationnelles