Etude des propriétés structurales ,électroniques et é lastiqu es du semi-conducteurs AlP par la méthode ab-initio. - LAOUIDJI, Houri a (Université Mohamed BOUDIAF de M'Sila, 2019)
Une investigation a été traitée en utilisant la théorie de la densité fonctionnelle dans les approximations du gradient généralisé GGA et LDA avec la méthode du pseudo-potentiel. Cette étude concerne les propriétés structurales, élastiques et électroniques du semiconducteur AlP qui fait l'objet de ce travail. Notre résultats sur le paramètre de maille est bonne accord avec les résultats expérimentaux et théorique existe dans la littérature.. Le semi-conducteur AlP montre un gap indirect. Les constantes élastiques et le module de compression montrent que le semi-conducteur AlP est élastiquement stable.
Keywords: électroniques, é lastiqu es, semi-conducteurs AlP, la méthode ab-initio.