LA CORRELATION ENTRE L'IONICITE ET LES FACTEURS DE FORME SYMETRIQUES ET ANTISYMETRIQUES DANS LES SEMICONDUCTEURS - BARKA, FATIHA (UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA, 2004)
Le but de ce travail est d'étudier la variation des facteurs de forme symétriques Vs(3), Vs(8), Vs(11), et antisymétriques Va(3), Va(4), Va(11), des pseudopotentiels en fonction de l'ionicité dans les semiconducteurs suivants : IV: Ge, Si . III-V : AlSb, GaSb, AlAs, GaAs, InSb, AlN, InN, InP, InAs. II- VI : MgS, MgSe, ZnS, ZnSe. Dans cette étude, on a utilisé la méthode empirique des pseudopotentiels( E.P.M) afin de calculer la structure de bande électronique et par conséquent le facteur d'ionicité .Ce dernier a été calculé en utilisant le gap antisymétrique et l'énergie de cohésion . Nos calculs ont montré que le gap antisymétriques dans des résultats plus proches à ceux de littérature .
Keywords: Ionicité , Pseudopotentiel , Semiconducteur .