Etude des propriétés statiques du MESFET SiC par une simulation numérique - Mohamed, Abderraouf (UNIVERSITE DE M’SILA FACULTE DE TECHNOLOGIE, 2015)
Les transistors à effet de champ à barrière Schottky MESFET SiC sont des composants principaux utilisés en microélectronique. Pour cela, nous avons étudié les caractéristiques statiques du composant MESFET SiC, à l’aide d’un modèle analytique. Aussi, ce travail a pour but de simuler numériquement l’influence des paramètres technologiques et physiques sur le fonctionnement du transistor SiC tel que la longueur de grille, l’épaisseur, le dopage du canal et la température afin d’optimiser ces performances à travers le logiciel Matlab
Keywords: MESFET, microélectronique, simulation, SiC.