الخصائص البنيوية والإلكترونية لبعض أنصاف النواقل )المركب MgSiP2

dc.contributor.authorطاوي ػبذ ان اًنك
dc.date.accessioned2022-07-04T10:34:24Z
dc.date.available2022-07-04T10:34:24Z
dc.date.issued2022-06-22
dc.description.abstractDans ce travail, nous avons étudié des propriétés structurales et électroniques du compose. L’objectif est de vérifier les paramètres physiques tels que paramètres du réseaux , la densité d'etats et la structure des bandes. La méthode utilisée est la méthode d’onde plane linéairement augmentée et la latence complète intégrée dans WIEN2K sous la théorie de la dalia de densité de l’approximation de LDA et LDA-mBJ.en_US
dc.identifier.urihttps://depot.univ-msila.dz/handle/123456789/29973
dc.publisherUNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILAen_US
dc.subjectSemi-conducteur, la théorie densité DFT, la méthode d’onde plate linéairement augmentée.en_US
dc.titleالخصائص البنيوية والإلكترونية لبعض أنصاف النواقل )المركب MgSiP2en_US
dc.typeThesisen_US

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
الخصائص البنيوية والإلكترونية لبعض أنصاف النواقل (المركب MgSiP2 ).pdf
Size:
2.68 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:

Collections