الخصائص البنيوية والإلكترونية لبعض أنصاف النواقل )المركب MgSiP2
| dc.contributor.author | طاوي ػبذ ان اًنك | |
| dc.date.accessioned | 2022-07-04T10:34:24Z | |
| dc.date.available | 2022-07-04T10:34:24Z | |
| dc.date.issued | 2022-06-22 | |
| dc.description.abstract | Dans ce travail, nous avons étudié des propriétés structurales et électroniques du compose. L’objectif est de vérifier les paramètres physiques tels que paramètres du réseaux , la densité d'etats et la structure des bandes. La méthode utilisée est la méthode d’onde plane linéairement augmentée et la latence complète intégrée dans WIEN2K sous la théorie de la dalia de densité de l’approximation de LDA et LDA-mBJ. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://depot.univ-msila.dz/handle/123456789/29973 | |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.subject | Semi-conducteur, la théorie densité DFT, la méthode d’onde plate linéairement augmentée. | en_US |
| dc.title | الخصائص البنيوية والإلكترونية لبعض أنصاف النواقل )المركب MgSiP2 | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
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