Capteur de pression à cristaux photonique à base du semiconducteur InAs

Abstract

Les cristaux photoniques (CPs) sont des nanostructures de matériaux dans lesquels on acréé une alternance périodique des indices de réfraction. Suivant le type de structuration, on distingue des CPs unidimensionnels, bidimensionnels, et même tridimensionnels. Par le choix du bon de son matériau de base, de ses caractéristiques constitutionnelles et en fin muni d’une bonne microcavité pour assurer le piégeage de la lumière, une structure à cristaux photonique peut devenir un capteur doté d’excellentes caractéristiques de détection. En effet de nos jours ces nanostructures sont à la base d’une grande variété de capteurs destinés à la détection de presque tous les phénomènes naturels connus. Notre travail entre dans ce cadre. En effet, le but de notre travail est de concevoir un capteur de pression à cristaux photoniques utilisant le semi-conducteur InAs comme matériaux de base et muni d’une microcavité simple H1 pour mesurer la pression hydrostatique appliquée à sa surface active.