Simulations des cellules photovoltaïques à base de chalcopyrite et de silicium (CuInSe2 (CIS))/Si.

Abstract

L'énergie solaire est la meilleure énergie pure et durable afin de réaliser le processus de conversion et d'éviter les pertes d'énergie et le coût des matériaux composites pour la cellule solaire. Nous devons obtenir les meilleures structures avec les meilleures propriétés pour obtenir une meilleure efficacité et Pour cette raison, Nous avons étudié par simulation utilisons le logiciel AMPS1D la possibilité d'améliorer le rendement des cellules solaires hétérogènes ZnO/CdS/CuInSe2/métal. Avec l'introduction d'une couche fortement dopée C-Si entre la couche absorbante (CIS) et le contact arrière (BSF), nous avons obtenu les résultats suivants pour changer l'épaisseur de chaque couche : réduction de l'épaisseur pour une efficacité optimale, 40 nm pour la couche ZnO et jusqu'à 30 nm pour la couche CdS. En plus d'augmenter l'épaisseur de la couche absorbante CIS jusqu'à 4000 nm (l'augmentation au-dessus de cette valeur n'a aucun effet). La meilleure efficacité a été obtenue à ces valeurs (η = 21,517%). L'introduction d'une couche fortement dopée (C-Si) entre la couche absorbante (CIS) et le contact arrière (BSF) son ajout n'a pratiquement eu aucun effet sur le rendement et l'information électrique.