Etude comparative des propriétés optoélectroniques et mécaniques des semiconducteurs

Abstract

Une méthode de calcul Ab-Initio a été utilisée pour étudier les propriétés structurales, électroniques, mécaniques, élastiques et optique de InN En utilisant l’ approximation GGA , la méthode des pseudo-potentiels et ondes planes dans le cadre de la théorie de la densité (DFT) dans la structure cubique (zinc blende) , En effet, les structures de bandes et les densités d’états « DOS » obtenus montrent que InN est à gap direct .Une cohérence a été montrée entre nos résultats concernant les propriétés mécaniques et optiques et ceux d'autres calculs théoriques et d’autres données expérimentales