Investigation théorique des propriétés fondamentales des composés semi-conducteurs binaires par la méthode FP-LAPW

Abstract

Dans ce travail, nous avons effectué une étude théorique en utilisant le potentiel complet linéarisé approche par ondes planes augmentées (FP-LAPW), basée sur la théorie de la densité fonctionnelle théorie (DFT) implémentée dans le logiciel WIEN2K, pour déterminer les propriétés électroniques de ZnS, ZnSe, InP et GaSb. Le potentiel d'échange et de corrélation est traité par l'approximation de densité locale (LDA), l'approximation généralisée (GGA) et l'approximation modifiée de Beck Jonhson (mBJ). Les propriétés structurelles telles que la constante de réseau, le module d'élasticité et la pression Les dérivées du module sont en bon accord avec les résultats théoriques et expérimentaux disponibles. Les résultats obtenus pour la structure de bande et la densité d'états (DOS) montrent que les composés ZnS, ZnSe, InP et GaSb ont un écart direct. De plus, l'utilisation des potentiels modifiés de Beck Jonhson (mBJ) comme correction des termes d'échange et de corrélation nous a permis d'avoir des écarts d'énergie en bon accord avec les résultats expérimentaux. Ces résultats montrent une amélioration significative par rapport aux autres travaux théoriques. Enfin, nous avons utilisé les valeurs des écarts d'énergie obtenus en utilisant la nouvelle approximation dans le calcul de l'indice de réfraction où nous avons observé une convergence de valeurs théoriques et expérimentales