Etude des mécanismes de formation des siliciures de nickel

Abstract

L’objectif de présent travail est d’étudier les mécanismes de formation des phases durant la réaction à l’état solide 50 nm Ni déposée par pulvérisation cathodique sur Si monocristallin. Les caractérisations réalisées en DRX in situ lors des recuits isochrones entre (200 et 900 C°).Les résultats obtenus mettent en évidence une formation simultanée des phases riches en Ni ( 2 Ni Si   et 2 Ni Si   ). Alors que le NiSi croit séquentiellement au dépond de 2 Ni Si   L’implantation ionique des substrats de Si en As et en B modifie la séquence de formation des phaes. Le mécanisme de croissance des phases riches en Ni est discutée à partir de l’évolution des pics de DRX lors des recuits isochrones. Mots-clés :Diffusion, Nickel, Couches minces, mécanisme, DRX in situ Abstract The aim of this work is to study mechanisms of growth of phases formed during solid state reaction of 50nmNi deposited by pulverization on silicon. Characterizations were performed by in situ XRD during isochronal annealing between (200 and 900C°). The obtained results show that Ni-rich phases ( 2 Ni Si   and 2 Ni Si   ) grow simultaneously. However NiSi phase grow sequentially by consuming the 2 Ni Si   phase. The ion implantation of Si substrates by As and B dopants modify the phase sequence. The growth mechanism of Ni-rich phases is discussed on the basis of the evolution of the XRD pics During isochronal ageing.