Caractérisation d’une diode latérale à base de silicium polycristallin

Abstract

L’objectif de notre travail est d’étudier l’effet de la température sur le comportement de la caractéristique I(V) (sous polarisation directe) des jonctions polycristallinnes. Pour cela nous avons opté un environnement de simulation approprié SILVACO pour la simulation des étapes technologiques de cette diode polycristallinne, tenant compte au préalable des paramètres qui la caractérise, puis donner les modèles physiques adéquats qui peuvent donner le courant de la jonction PN latérale au silicium polycristallin en direct à des différentes températures, sous le même environnement. Ensuite nous avons fait une comparaison entre les résultats obtenues par simulation et ceux de la pratique pour valider les résultats de simulation obtenus.