Modélisation numérique des paramètres électriques des photodiodes à avalanche

Abstract

Due à l’application vaste des photodiodes à avalanche dans de nombreux domaines extrêmement porteurs: la médecine, la communication, le stockage et la lecture des informations, la dosimétrie, la détection des incendies, la métrologie, la spectroscopie UV, les mesures environnementales…etc. Donc, il est important d’analyser le principe de base de la photo-détection basée sur les photodiodes à avalanche afin de mieux comprendre les paramètres importants (électriques et géométrique) et leurs impact sur le comportement et le fonctionnement des circuits photoniques notamment les circuits à photodiodes. L’objectif de ce travail est d’étudier les différentes structures de photodiodes à avalanche et de modéliser leurs caractéristiques électriques tel que le gain et la tension de claquage afin d’améliorer leurs performances. En effet, des simulations numériques seront effectuées pour décrire le comportement électrique des photodiodes à avalanche notamment la tension de claquage ainsi la variation de la tension de claquage avec la température, ce qui permet au designer l’obtention des résultats en terme de performance et d’adresser les problématiques relatives aux domaines d’application.