Contribution à l'étude des propriétés physiques des matériaux Mg2X(X= Si, Ge, Sn) : étude de premier principe

Abstract

Dans ce travail on va étudier les propriétés structurales, électroniques, optiques et thermoélectriques des matériaux cubiques Mg2X (X= Si, Ge, Sn) avec l’une des méthodes de premiers principes (ab-initio) basées sur la Théorie de la Fonctionnelle de la Densité (DFT) à travers la méthode des Ondes Planes Augmentées Linéarisées (FP-LAPW) implémentée dans le code de calcul numérique Wien2K. En exploitant l’approximation de la Densité Locale (LDA) pour le potentiel d’échange et la corrélation pour déterminer les propriétés structurales (paramètres de maille, module de compression et sa première dérivée). La forme alternative modifiée par Becke-Johnson (mBJ) a été utilisée également pour les propriétés électroniques (les structures de bandes, les densités d’états) et optiques (fonction diélectrique, indice de réfraction, coefficient d’absorption et réflectivité perte et conductivité optique) et thermoélectrique (coefficient Seebeck, conductivité électrique et thermique, et facteur de mérite) des composants binaires Mg2Si, Mg2Ge et Mg2Sn. Les résultats obtenus sont comparés avec d'autres travaux théoriques et des données effectuées expérimentalement.