Effet de la pression sur les propriétés électroniques et optiques du composé semiconducteur InAs

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dc.contributor.authorAMROUNE, Latifa
dc.date.accessioned2019-02-17T09:57:34Z
dc.date.available2019-02-17T09:57:34Z
dc.date.issued2016-06-04
dc.description.abstractLe choix de la méthode des pseudopotentiel empirique l'EPM est basé essentiellement sur le fait d'obtenir les états de valence sans calculer pour autant les états du coeur qui ne sont pas nécessaire pour la description de propriétés physiques d'un système. Les états réels sont décrits par des pseudos fonctions d'ondes planes minimisant ainsi les calculs numériquesen_US
dc.identifier.urihttps://depot.univ-msila.dz/handle/123456789/7842
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Mohamed BOUDIAF de M'Silaen_US
dc.subjectla pression, les propriétés électroniques, les optiques, composé semiconducteur, InAsen_US
dc.titleEffet de la pression sur les propriétés électroniques et optiques du composé semiconducteur InAsen_US
dc.typeThesisen_US

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