Etude des propriétés optoélectroniques du ternaire semi-conducteur ZnSnP2 Application photovoltaïque

dc.contributor.authorAbdeselem, LAALMI
dc.contributor.authorMohammed, HADJ BELKACEM
dc.date.accessioned2019-07-31T11:15:47Z
dc.date.available2019-07-31T11:15:47Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractLes chalcopyrites sont des matériaux prometteuse dans les domaines d’électronique, optoélectronique et photonique à cause de leurs excellentes propriétés électronique et optiques. Parmi ces matériaux semi-conducteurs on a la famille d’II-IV-V2 qui est largement utilisée ces dernières années dans la recherche et le développement des nouvelles cellules solaires. Le but de ce travail est d’étudier les propriétés optoélectronique du ZnSnP2, utilisés comme absorbeur dans les cellules photovoltaïques. On va utiliser la méthode FP-LAPW sous l’environnement Wien2k, qui est basé sur la théorie de la DFT pour calculer et analyser leurs propriétés optoélectroniques.en_US
dc.identifier.otherEL/ME008/19/883
dc.identifier.urihttps://depot.univ-msila.dz/handle/123456789/16118
dc.language.isofren_US
dc.publisherUNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILAen_US
dc.subjectchalcopyrite, ab-initio, FP-LAPW, DFT, Propriétés optoélectronique, photovoltaïques, TB-mBJ.en_US
dc.titleEtude des propriétés optoélectroniques du ternaire semi-conducteur ZnSnP2 Application photovoltaïqueen_US
dc.typeThesisen_US

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