Etude et simulation des propriétés du dopant sur les profiles d un plantation ionique pour application en nanotechnologie

Abstract

Il existe plusieurs méthodes pour le dopage des matériaux semi-conducteurs, notamment le dopage par conversion nucléaire, le dopage au laser, et le dopage par bombardement ionique. Parmi ces méthodes, le dopage par bombardement ionique suivi de l'incorporation des ions dans le matériau est actuellement la méthode la plus avancée et couramment utilisée. Cette technique peut être simulée à l'aide du logiciel Transport and Range of Ions in Mater (TRIM) développé par Ziegler. Dans ce contexte, le dopage de type spécifique en utilisant l'aluminium comme élément dopant a été étudié. Les résultats de la simulation ont permis d'étudier plusieurs paramètres liés au processus de dopage, notamment le calcul de la concentration de l'élément dopant dans le matériau, la perte d'énergie des ions lors de leur déplacement dans la matrice cristalline du matériau, les énergies de rétrodiffusion des ions, les interactions entre les ions et les ions dispersés, ainsi que les phonons. De plus, des variations de ces paramètres ont été analysées en fonction des résultats de la simulation, contribuant ainsi à une meilleure compréhension du processus de dopage et à son amélioration.