Etude de la dégradation de rendement électrique d’une cellule photovoltaïque

Abstract

Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de Cu( In ,Ga)Se semble prometteur. Dans ce travail de modélisation et de simulation, nous utilisons le logiciel AMPS -1D, pour étudier les performances des cellules solaires à base de Cu( In ,Ga)Se (CIGS). Nous évaluons dans un premier temps, le courant de court circuit JCC, la tension en circuit ouvert VCO, le facteur de forme FF et le rendement électrique η pour une structure typique de ZnO/CdS/ CIGS. Par la suite nous nous intéressons au dopage et à l’épaisseur de la couche ZnO, et la couche CdS pour étudier l’influence de celles-ci sur les paramètres de sortie, surtout le rendement électrique de la structure.