دراسة البنیة الالكترونیة لانصاف النواقل من II-IV-V2 Etude de la structure électronique des semiconducteurs II-IV-V2
| dc.contributor.author | مساعد بوضياف | |
| dc.date.accessioned | 2021-07-06T11:39:10Z | |
| dc.date.available | 2021-07-06T11:39:10Z | |
| dc.date.issued | 2021-06 | |
| dc.description.abstract | تهدف هذه المذكرة إلى دراسة الخصائص البنيوية والالكترونية للمركب 2 .FP-LAPW و طرق الحساب " طريقة الأمواج المستوية المتزايدة خطيا والكمون الكامل DFT بواسطة نظرية دالية الكثافة وقد استعملنا تقريب المعدل MgGeAs للمركب 2 (XC) لأجل حساب كمون التبادل-الارتباط (LDA) في تقريب كثافة الموضع .(LDA) بغية حساب عصابات الطاقة وكثافة الحالات فوجدنا تحسن نتائج مقارنة بتقريب (mBJ) لبريك-جونسون هذه المواد لديها أهمية تكنولوجية وتقنية وذلك بامتلاكها مانع طاقي مباشر ولذا تستعمل في تطبيقات الخلايا الكهروضوئية. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://depot.univ-msila.dz/handle/123456789/24704 | |
| dc.publisher | UNIVERSITE MOHAMED BOUDIAF - M’SILA | en_US |
| dc.title | دراسة البنیة الالكترونیة لانصاف النواقل من II-IV-V2 Etude de la structure électronique des semiconducteurs II-IV-V2 | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |