Etude numérique d’un materiau semi-conducteurs AlGaP2 Dans l’ applications photovoltaïques

Abstract

Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort . Dans notre travail, nous avons calculé les propriétés structurelles et électroniques du AlGaP2 au moyen de la méthode des ondes planes linéaires (FP-LAPW), qui est basée sur la théorie de la densité des fonctions (DFT). Pour le calcul des propriétés structurelles (constante de réseau et paramètre de compressibilité). La valeur de la constante de réseau obtenue à l'équilibre est cohérente avec les résultats expérimentaux disponibles. Pour calculer les propriétés électroniques (bandes d'énergie et densité d'état), nous avons utilisé une approximation de gradient GGA généralisée. Densité du site LDA et approximation mBJ. Lors de l'utilisation de l'approximation mBJ, nous avons constaté qu'il y avait une amélioration significative des résultats par rapport à l'approximation GGA, LDA et KDA par rapport aux résultats expérimentaux