Étude et simulation des propriétés optoélectroniques du Laser à semi-conducteurs type DFB

Abstract

Dans une chaine de transmission optique, la diode laser reste le composant majeur utiliser pour la génération de la lumière, dont le but d’obtenir des signaux monochromatiques, directionnels et longitudinaux. Suivant les applications visées, les caractéristiques du laser (seuil, puissance optique, longueur d’onde) seront différentes. Pour utiliser le multiplexage en longueur d’onde, les lasers doivent être monomodes (émettant une seule longueur d’onde). De plus, pour permettre l’interopérabilité des signaux d’une puce à l’autre, la longueur d’onde des lasers doit pouvoir être précisément choisie. Les lasers seront donc préférés accordables, Spécialement le laser à semi-conducteurs type DFB. L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à base de semi-conducteur, plus particulièrement le laser DFB. Lors de cette étude, nous avons utilisé deux types du laser DFB : le laser DFB Uniforme et le laser DFB à saut de phase. Pour les deux types on utilise le mode fondamental, et un réseau de Bragg sinusoïdal. L'étude détaillée d'un modèle à deux dimensions, qui se limite au régime stationnaire de la diode laser a été présentée. La simulation par le logiciel Rsoft_Lasermod du modèle étudié, a permis de maitriser le comportement d’un tel composant.