L’effet du dopage et de la température sur la mobilité et la résistivité d’un capteur de pression piézorésistif
| dc.contributor.author | ZIANI, Cherihane | |
| dc.contributor.author | BRIKEL, Khouloud Achouak | |
| dc.contributor.author | Enca/ R., CHABANE | |
| dc.date.accessioned | 2022-09-13T08:50:09Z | |
| dc.date.available | 2022-09-13T08:50:09Z | |
| dc.date.issued | 2022-09-13 | |
| dc.description.abstract | Dans ce mémoire, nous avons procédé à la modélisation de l’effet du dopage et de la température sur la piézorésistivité d’un capteur piézorésistif par le logiciel de simulation Pspice de version 9.1. D’abord, on a commencé par présenter une synthèse sur les capteurs de pression piézorésistifs. Ensuite, nous avons fait une présentation de base sur la conception d’un composant dans la librairie du Pspice, qui est l’"EVALUE". Enfin, nous avons étudié l’effet du dopage et de la température sur la piézorésistivité en utilisant le modèle ARORA. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://depot.univ-msila.dz/handle/123456789/31512 | |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | university of M'sila | en_US |
| dc.subject | Silicium, capteur de pression, tension d’offset, piézorésistivité, modélisation. | en_US |
| dc.title | L’effet du dopage et de la température sur la mobilité et la résistivité d’un capteur de pression piézorésistif | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |