Etude des propriétés électroniques et élastiques des alliages ternaires semiconducteurs

Abstract

L’approche pseudo-potentiel empirique avec l’approximation du cristal virtuel (VCA) ont été utilisés pour l’étude des propriétés électroniques (structure de bande et gap énergétique), les constantes élastiques et les paramètres mécaniques des alliages semiconducteurs 𝐶𝑑𝑆𝑥𝑇𝑒1−𝑥dans la structure zinc blende et dans la plage de concentration (0–1) avec et sans tenir compte de l’effet du désordre compositionnel. Ces alliages ont un intérêt important pour la conception des dispositifs optoélectroniques. Nos résultats ont montré que toutes les propriétés d’intérêts varient avec la concentration x et que le désordre compositionnel a un effet sur toutes les propriétés étudiées . Cela va nous permettre d'avoir des nouveaux matériaux avec de nouvelles propriétés désirées.